内存时序28对比30延迟多少差距

内存延迟实际建议

购买内存时，一个重要的购买原则是尽可能保一致性。选择具有相似CL设置（CASlatency、内存时序）的内存可以保证系统运行效率。如果不同速度的内存混合使用，例如CL2.5和CL2内存，系统会自动调整以支最慢的内存，将所有内存的性能限在最慢的部分，这可能会导致资源浪费。

例如，当CL2.5内存插入具有CL2内存的主机时，系统会将其时序设置为CL2.5，这意味着所有内存将以低速运行，尽管它的一部分可以支更快的速度。因此，为了最大限度地提高系统性能并避免不必要的性能损失，建议购买具有相同CL设置的内存模块。

此外，在选择内存时，还应该考虑内存频率、容量、总线宽度等因素，以确保它们与主板兼容以及您的系统能够支需求。这样可以保证整个系统的稳定性和最佳性能，避免不必要的性能瓶颈。

详细信息

内存延迟是指等待对系统内存中存储的数据的访问完成而导致的延迟。根本问题是处理器（例如Intel®因此，当处理器需要内存高速缓存之外的数据项时，每个周期必须等待10个时钟周期才能完成数据的读取和发送到内存芯片。通常，这些获取需要几个内存周期来检索，然后需要更的时间才能遍历到处理器的路径。这意味着需要数百个处理器时钟周期来检索数据，在此期间应用程序无法处理任何其他任务。

时序30和时序32的差多少2.
时序30和时序32之间相差2个时序。这是因为时序是按顺序排列的，并且每个时序相差1个单位。因此计时30和计时32之间的差异是2个单位。

内存时序高低有什么区别？

低内存时序是好的。

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为用连字符分隔的四个数字，例如例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数表示影响RAM速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间只是一个估计值，因此该值的微小变化不会显着改变内存的性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储线地址选通脉冲的预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址活的时间，可以简单理解为内存写入或读取数据所花费的时间。它通常接近前三个参数的总和。