威刚3600z内存超频时序参照

初学者阶段：
时序： CL16-19-19-39
电压： 1.35V
进阶阶段：
时序： CL14-17-17-36
电压： 1.40V
极限阶段：
时序： CL12-15-15-32
电压： 1.45V+
注意事项：
超频内存会使系统不稳定，请谨慎操作。
具体时序和电压设定可能因内存颗粒和主板而异。
超频电压过高可能会损坏内存或其他组件。
确保主板 BIOS 中已启用 XMP 或手动内存配置文件。
时序参数解释：
CL（CAS Latency）：访问内存中数据的延迟。
tRCD（RAS to CAS Delay）：在访问不同的内存行之前所需的延迟。
tRP（RAS Precharge Time）：将数据从内存行清除所需的延迟。
tRAS（RAS Active Time）：内存行保持激活状态所需的延迟。
超频步骤：
1. 进入主板 BIOS 设置。
2. 启用 XMP 或手动内存配置文件。
3. 根据上述时序设置值。
4. 逐步增加电压，直到系统稳定或达到极限。
5. 运行内存测试软件（如 MemTest86）以验证稳定性。
提示：
如果遇到系统不稳定，请降低时序或电压。
尝试使用软件超频工具，例如 DRAM Calculator for Ryzen。
确保您的散热器可以为超频后的内存提供足够的散热。