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锐龙一代内存兼容列表

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  • 2024-09-27 19:58:49
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⑴AMD一代锐龙:内存兼容性差会引起什么后果?

许多购买记忆棒的用户通常只看重记忆容量,频率,时序,价格和RGB照明效果,但是很少有关注记忆兼容性问题。
▲内存兼容性差的后果是什么?
发生内存兼容性问题时,最直接的后果通常是无法点亮。 内存兼容性问题士顿内存4g与2g是否可以兼容_怎么看内存兼容不兼容_兼容性内存'
▲为什么内存有兼容性问题?
SPD信息在存储模块中配置,例如P组的数量,电压,行/列地址的数量,位宽以及各种作时序(例如CL,tRCD,tRP,tRAS等))。 只要其中一个链接与主板和CPU的默认设置不同,就很容易出士顿内存4g与2g是否可以兼容_怎么看内存兼容不兼容_兼容性内存'
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当然,存储器造商不能完全知道这个“锅”。 以AMDRyzen平台为例。 由于第一个AMDRyzen的内存控器的优化不佳,因此必须限RAM内存调整选项,这会导致许多主板上的内存工具不兼容。 因此,插入许多品牌的内存后,它不会直接点亮;或者主板上的内存插槽已满时,频率只能达到DDR4-2400。 幸运的是,最新的第三代Ryzen平台改善了与内存控器的兼容性。
▲如何避免内存兼容性问题?
购买内存时,不要贪图便宜货,而要从小型或模仿造商那里购买内存条。 这些造商经常受到强度的限,颗粒的来源未知,很少或什至没有进行相容性测试,它们直接出售并在场上流通。 兼容性上的差异可以想象。
第一级存储器造商如何进行兼容性测试?以ADATA为例。 威刚(ADATA)与华硕(Asus),微星(MSI),技嘉(Gigabyte)和华擎(ASRock)的四家主要主板造商保了期合作,并已对500多种不同类型的主板进行了严格的兼容性测试,包括英特尔X99/Z170/Z270/Z370/。 Z390/X299主板,AMDX370/B350/A320/X470/B450/X570主板也已通过AMD联盟认证,英特尔XMP2.0认证。 完全保证了此类品牌内存模块的兼容性。 此外,ADATA还将这些兼容性测试数据集成到中,并在ADATA方网站的主页上为用户提供[MemoryCompatibilityInquiry]。 作方法如下:开[消费电子产品类别],单击[支和服务]-[技术支]-[内存兼容性查询],获取所需信息。
用户可以通过此查询页面了解主板和内存的兼容性,从而节了很多不必要的麻烦。
▲摘要:内存兼容性对内存非常重要,这与内存模块的适应性有关,也是内存性能的评估指标之一。 当我们购买记忆时,我们必须选择一个大品牌。 大品牌的兼容性通常要好得多。

⑵内存xmp开启,一代锐龙1800x换成3700x,主板x370太极?

这个主要是看你的内存XMP频率是多少,如果超过3200,1代锐龙确实有可能上不去而导致机,换成R73700X后内存频率的上限要高得多,但是是否会机还得看兼容性,这里也没办法说开XMP一定不会机。
这个内存频率主要是处理器内的内存控器问题,主板也有关系,毕X370是第一代AM4主板,上3700X内存控器改善了,但是内存布线、信号稳定性和现在的X570、B550还是没有办法比的,最高支的频率还是会低一点。

⑶、锐龙处理器兼容性

不好。 锐龙处理器依然会存在内存兼容性的问题,有些品牌内存可能导致内存频率超不上去,或者直接点不亮的问题。 锐龙稳定性和兼容性一般。

⑷B350的主板兼容DDR31333的内存条吗

不能,所有的AMD锐龙新CPU,都只支DDR4内存,不再支DDR3内存,原因是锐龙系列(也可以说AMD全系列CPU)对内存带宽都很敏感,采用DDR4内存的高工作频率,可以提高内存带宽速度,版提高CPU工作效率。

锐龙内置的内存控器本身依然是一个薄弱环节,围绕内存兼容性权和高频率内存支能力,一直都在不断更新主板BIOS。

DDR3SDRAM,是一种电脑存储器规格。 它属于SDRAM家族的存储器产品,提供相较于DDR2SDRAM更高的运行性能与更低的电压,是DDR2SDRAM(四倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者(增加至八倍)。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。



扩展资料:

数据规格

DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。 三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。 相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。

仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。 根据此前的规划,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。

三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

三星称,2010年12月底已经向一家控器造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的定工作,预计2012年开始投入商用。

参考资料来源:百度百科-DDR4内存