内存时序是指内存模块执行命令所需的延迟时间。
通常用CAS延迟(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)、列地址到列地址延迟(tCL),以及其他一些延迟时间来表示。
时序等级
时序等级表示时序的数值,数字越小,延迟时间越短。
例如,CL14表示CAS延迟为 14 个时钟周期,而 CL18 表示 CAS 延迟为 18 个时钟周期。
哪个时序较低?
因此,CL14 的时序低于 CL18。
时序较低意味着内存模块可以更快地响应命令,从而提高内存性能。
需要注意的是,时序只是一个影响内存性能的因素。
其他因素,例如内存类型(DDR4、DDR5 等)、内存容量和内存频率,也同样重要。