内存频率3200时序调多少合适

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• 壹、内存时序怎么调到最优
• 贰、3200内存延迟最低多少
• 叁、三星ddr43200内存条时序

壹、内存时序怎么调到最优

如何优化内存时序？

时序参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V较好；如果ddr4内存不改变第一时序，尽量不要改变第一时序。 首先，您应该从调整第二个时间开始。 放大tRFC和tREF一般可以达到更高的频率；ddr4内存与ddr4和ddr42内存不同。 第一序列的CR对内存频率和性能影响不大；ddr4第二个序列中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大。 影响不大。

贰、3200内存延迟最低多少3200的最低内存延迟约为56纳秒。
由于CPU架构的原因，AMD的延迟比同类型内存的Intel大约高20纳秒。 Intel第10代平台上3200频率内存的延迟通常约为56纳秒。
如果内存质量好，可以通过将频率提高到3600，时序提高到18-22-42，FCLK频率提高到1800，将延迟降低到69纳秒左右。 叁、三星ddr43200内存条时序三星ddr43200内存条默认是DDR4，第2133章1.2V。 ddr43200内存时序参数为3200(16)8Gx16，最好调整为CL16-16-161.35V。 启用XMP直接将频率提升到DDR4-3200-16-16-16-362T，高频为1.35V。 ddr4-3200内存模块可以通过扩展第二次启动而不改变第一次启动来实现更高的估计速率tRFC和tREF：ddr4内存第一次与ddr4和ddr42内存不同。 影响内存频率和性能以及tR​​TP；tRTW和tWTR对性能影响较小，tRRD影响较大。 表现。