18-22-22-42。 将金士顿3200的内存超频到3600时,最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期,RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期,行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期,以及行激活到预充电时间(tRAS)设置为42个时钟周期。 可以在保持稳定性获得较高的性能。
ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16,CL16-16-161.35V为好。 加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T,高频下的电压为1.35V。
时序为16-19-19-19-38。 由金士顿3200使用说明可知金士顿3200最佳时序16-19-19-19-38。 金士顿是金士顿公司的一款产品,金士顿成立于1987年,总部位于美国加州芳泉谷。
16-18-18-38。 3200内存的工作标准电压为1.35V,正常时序为16-18-18-38。 内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数之一。
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