内存超频3600最佳时序和电压

时序
CL（CAS Latency）：14-16
tRCD（RAS to CAS Delay）：18-20
tRP（RAS Precharge Time）：18-22
tRAS（RAS Active Time）：32-38
电压
DRAM Voltage（VDD）：1.35V-1.45V
优化过程
1. 更新主板 BIOS：确保主板 BIOS 已更新到最新版本，以支持更高的内存频率。
2. 启用 XMP 或手动设置时序：大多数现代主板支持 XMP（Extreme Memory Profile），可自动优化时序和电压。 或者，您也可以手动设置时序，但仅适用于经验丰富的超频爱好者。
3. 逐步增加时序：从较宽松的时序（如 CL18-22-22-42）开始，逐步降低时序，同时注意系统稳定性。
4. 提高电压：如果出现不稳定情况，请逐步提高 DRAM 电压，直至系统稳定。
5. 压力测试：使用 MemTest86 或 HCI MemTest 等内存压力测试工具来验证内存稳定性。
6. 逐个增加频率：稳定内存后，逐个增加内存频率，重复上述步骤，直至达到 3600MHz。
注意事项
不同的内存模块可能有不同的最佳时序和电压。
过度超频可能会损坏内存或其他组件。
建议使用高质量的电源供应器和良好的散热解决方案。
超频后，系统不稳定或性能下降可能是内存、主板或 CPU 的限制所致。 在这种情况下，建议降低时序或频率。