4000内存怎么压低时序

一旦找到内存时序调节的选项，我们可以开始进行具体的调节。 首先，我们可以尝试降低内存模块的延迟参数，比如CAS延迟和RAS到CAS延迟。 通过降低延迟，可以加快内存模块的响应速度，提升计算机的性能。 不过，需要注意的是，过低的延迟可能会导致系统不稳定，因此在调节时需要适度。

先压时序，再压电压，最后再压频率。 1、先压时序。 在BIOS中将内存时序调节为Auto，然后保存重启，再进BIOS查看时序是否被自动压到最低。 2、再压电压。 时序被压到最低，再调节电压，逐渐增加至安全电压的最高值。 3、最后再压频率。 在保证电压和时序都稳定的情况下，再逐渐提高内存的频率。

  第五代双倍数据速率DDR5双列直插式内存模块是一种高速、高性能的内存模块，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。 与前几代内存模块相比，DDR5双列直插式内存模块具有更高的数据传输速率和更低的功耗，同时提供了更大的内存容量和更高的可靠性。 在数据密集型应用、云计算、人工智能等领域，DDR5双列直插式内存模块将成为未来的主流选择。 总之，DDR5双列直插式内存模块具有出色的性能和可靠性，适用于各种需要高带宽和低延迟的应用场景。 第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术，可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。 DDR5 DIMM 插槽支持 288 插针 SMT 型UMAXCONN - DDR5 插槽连接器设计了短、中、长和窄锁闩选项，可满足不同的空间要求。 它还提供了多个颜色和电镀选项。 我们的 DDR5 插槽连接器专为提高数据速率而设计，可提供比 DDR4 DIMM 插槽连接器高两倍的性能。