⓵我这两条内存时序怎么不一样?两者各有优点,但一般会导致蓝屏运行的时间不同。
BIOS中的设置不能同时起作用。
5-5-5-18的时间出售其中一个记忆是相当常见的,保存后可以用根序列替换。
⓶到底什么是内存时序?为何都说买内存外行看频率,内行看时序在购买电脑内存时,大多数人都会关注内存容量和频率参数。
一般来说,电容越大越好,频率越高越好。
当然,这两个参数非常重要,但是还有一个重要的参数大家往往会忽略,那就是内存时序。
那么什么是内存时序,它是如何影响内存性能的呢?向德君在这个科普问题上,让这个内存参数为大家所理解。
时序影响存储芯片上各种常见操作之间的延迟。
当延迟超过一定限度时,内存性能就会受到影响。
简而言之,内存时序描述了内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。
内存模块的产品页面将显示一系列由破折号分隔的数字,例如16-18-18-38。
称为记忆时序。
基本上,这些代表延迟,因此时间越短自然越好。
这四个数字代表对延迟影响最大的所谓“主要时序”。
内存时序的四个数值对应的参数是CL、tRCD、tRP、tRAS,单位是小时。
其中,CL(CASLatency)表示“列地址访问延迟时间,这是时序中最重要的参数”,tRCD(RAStoCASDelay)表示“从存储器行地址到列地址的传输延迟时间”(RASPrechargeTime)。
tRAS(RASActiveTime)代表“内存行地址选通脉冲预充电时间”。
看完以上内容,您是否更加困惑了呢?别担心。
这是一个简单的例子:
您可以想象内存中的数据以网格形式存储在哪里。
每个方块存储不同的数据。
当CPU需要数据时,它向内存发出相应的指令。
例如,CPU需要位置C3处的数据。
内存收到CPU的指令后,首先要判断数据在哪一行。
第二个时序参数tRCD代表这个时间,指的是内存控制器在收到CPU的指令后必须等待的时间量。
访问该行之前的行。
内存识别出数据所在的行后,如果要查找数据,就需要识别出列。
时序中的第一个数字是CL,它表示内存确定行数和访问特定列之间的延迟。
通过确定行数和列数,可以准确定位目标数据,从而得到准确的CL值。
因此,CL是最重要的,因为变化会影响目标数据的位置。
定时。
对内存性能起决定性作用的参数。
内存时序的第三个参数tRP是确定一行后等待下一行所花费的时间。
第四个参数tRAS,可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。
这通常接近前三个参数的总和。
因此,假设稳定性,较低的内存时序更好。
然而,我们现在知道许多内存模块都可以超频,而更高的频率通常需要牺牲时序,而如果时序足够低,则提高频率是困难的。
频率。
例如,今年各大存储厂商发布DDR5内存的频率较高,但时机也比DDR4内存快很多。
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