内存超频2133最佳时序

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• ˋ﹏ˊDDR31600内存超频到2133后时序怎么调
• ?﹏?内存超频的话，时序是怎么样的？
• ˙△˙光威天策3200超频3600最佳时序

ˋ﹏ˊDDR31600内存超频到2133后时序怎么调将DDR31600内存的工作频率调整到2133MHz，就是对内存进行超频。 内存超频通常是在主板BIOS中完成的。 内存能否成功超频取决于内存本身的品质以及你的硬件，比如你的主板、CPU，甚至显卡等是否能够支持非标准频率运行。 假设你的主板提供了内存超频功能菜单，比较简单的操作就是找到MemoryFrequency选项，将其更改为2133MHz。 当谈到内存SPD的时序参数时，通常对于相同频率的内存来说，时序越低越好。 时序为9-9-9的1600MhzDDR3内存比时序为11-11-11的内存更快。 如果您想进一步提高内存性能，并且您的主板BIOS提供了修改BIOS中内存SPD、tCAS、tRCD、tRP、tRAS时序参数的功能。 出于稳定性考虑，不建议对内存进行超频和随意修改内存时序参数。

?﹏?内存超频的话，时序是怎么样的？

对于相同频率的存储器，时序越低越好。

Timing的CL-TRCD-TRP(11-11-11)代表11个时钟。 1600Mhz内存的默认时序为11-11-11，1333Mhz内存的默认时序为9-9-。 9，因此时序为9-9-9的1600Mhz内存比时序为11-11-11的1600Mhz内存快。 除了典型的超频将频率从1333Mhz更改为1600Mhz之外，专家还更改了时序。

基本说明

通用数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义如下：一样的。 CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟，内存的重要参数之一。 一些内存品牌将CL值打印在内存模块的标签上，即RAS-to-CASDelay(tRCD)。 该地址作为列地址的延迟时间被传送。

RASPrechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲预充电时间；RowActiveDelay(tRAS)，存储器行地址选通延迟。 玩家最关心的四种时序调整可以在大多数主板的BIOS中设置。 内存模块制造商还计划发布延迟低于JEDEC认证标准的超频内存模块。

在相同频率设置下，“2-2-2-5”的最小串行时序内存模块实际上比“3-4-4-8”的性能提供了高达3到3倍的内存性能“你可以。 5个百分点。

˙△˙光威天策3200超频3600最佳时序光威天策超频至3200，最佳时序可达4200Mhz。
频率思维：我一般的超频方法是直接拉频率，其他参数自动在电脑可以开机的时候记录定时值，然后慢慢推。 但这样效果不太好，自动模式下也进不去系统，所以我继续把电压设置为1.4，把时序拉到18-24-24-42，然后测试最高频率。 相当于给了一个下限，控制变量的最高频率低于这个下限，然后控制最高频率找到上限，这样就得到了一个最高频率的黑屏范围，并且。 看看哪个更好，或者什么都不好。 然后再往下找频率，降一档继续找时间的上下限。