内存超到4000时序一般是多少

主要时序（Primary Timings）：
CL（CAS Latency）：18-20
tRCD（Ras-to-CAS Delay）：20-22
tRP（Ras Precharge Time）：20-22
tRAS（Ras Active Time）：36-38
次要时序（Secondary Timings）：
tRFC（Refresh Cycle Time）：560-620
tWR（Write Recovery Time）：12-14
tWCL（Write CAS Latency）：16-18
tRTP（Read-to-Precharge Time）：12-14
三级时序（Tertiary Timings）：
tCCDL（Command-to-CAS Delay）：6-8
tCKE（Clock Enable Time）：6-8
tCKESR（Clock Enable to Stable Recovery Time）：4-6
其他时序：
tAA（Active-to-Active Time）：52-56
tREF（Refresh Time）：32000-34000
tRFC2（Refresh Cycle Time 2）：240-260
注意：
这些时序仅作为参考，实际最佳时序设置因主板、内存模块和超频目标而异。
超频内存可能会导致系统不稳定。 在进行超频之前，请确保已备份重要数据。
调整内存时序时，应使用 MemTest86 或类似软件进行稳定性测试。
如果遇到稳定性问题，请尝试逐步增加时序值，直到系统稳定为止。