内存时序c19和c16

内存时序是一组数字，描述了内存模块执行各种操作所需的时间。 时序以时钟周期为单位表示，每个时钟周期对应处理器运行指令的最小时间单位。
时序 CL
CAS Latency (CL) 时序表示从发出读取或写入命令到内存模块开始传输数据的时钟周期数。 CL 值越低，内存模块的延迟越低。
C19 与 C16
C19 和 C16 是 CL 时序的两种常见值：
C19：表示内存模块在响应读取或写入命令后需要 19 个时钟周期才能开始传输数据。
C16：表示内存模块在响应读取或写入命令后需要 16 个时钟周期才能开始传输数据。
性能影响
C16 时序的内存模块比 C19 时序的内存模块具有更低的延迟。 这意味着 C16 内存可以更快地响应读取和写入请求，从而提高系统性能。 然而，C16 内存模块通常比 C19 内存模块更昂贵。
其他时序
除了 CL 时序之外，还有许多其他内存时序会影响内存性能，包括：
tRCD：读取到列命令延迟
tRP：行预充电延迟
tRAS：行激活到预充电延迟
选择内存时序
选择最佳内存时序取决于特定系统的需求和预算。 对于大多数用户，C16 内存模块可以提供比 C19 内存模块更好的性能，但价格也更高。 对于对延迟不敏感的系统，C19 内存模块可能是一种更经济的选择。