3、 时序参数不同。 根据查询中国工业网得知，6000频率cl30和cl36差距是时序参数不同，6000频率cl30内存条的时序参数是CL30383876，而6000频率cl36内存条的时序参数是CL363636。

1、   第五代双倍数据速率DDR5双列直插式内存模块是一种高速、高性能的内存模块，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。 与前几代内存模块相比，DDR5双列直插式内存模块具有更高的数据传输速率和更低的功耗，同时提供了更大的内存容量和更高的可靠性。 在数据密集型应用、云计算、人工智能等领域，DDR5双列直插式内存模块将成为未来的主流选择。 总之，DDR5双列直插式内存模块具有出色的性能和可靠性，适用于各种需要高带宽和低延迟的应用场景。 第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术，可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。 DDR5 DIMM 插槽支持 288 插针 SMT 型UMAXCONN - DDR5 插槽连接器设计了短、中、长和窄锁闩选项，可满足不同的空间要求。 它还提供了多个颜色和电镀选项。 我们的 DDR5 插槽连接器专为提高数据速率而设计，可提供比 DDR4 DIMM 插槽连接器高两倍的性能。

4、 5000。 因为ddr56000频率不需要超频。 这频率已经够高了，况且内存频率不是特别重要，重要的是内存大小和时序。 而且内存超频步骤复杂，超频后不一定稳定，还可能影响内存的寿命。

2、 1、内存带宽：4800MHz频率时，内存读写速度约为每秒76GB、每秒69GB；工作在6000MHz频率之后，飙升至每秒93GB、每秒83GB，性能提升还是非常明显的。 2、延迟成绩：同样是CL40的时序下，6000MHz频率延迟从83.6ns降至69.6ns，高频不仅带来高带宽，还能降低延迟。