内存超频3600最佳时序是多少

CL (CAS Latency)
15-16
tRCD (Row Address to Column Address Delay)
18-19
tRP (Row Precharge Time)
18-19
tRAS (Row Active Time)
32-34
Command Rate (CR)
1T
Secondary and Tertiary Timings
这些时序根据内存模块和主板而异，但一般推荐遵循以下准则：
tRFC (Refresh Cycle Time)：小于 550 ns
tRFC2 (Refresh Cycle Time 2)：小于 350 ns
tRFC4 (Refresh Cycle Time 4)：小于 200 ns
tRRD_S (Recovery Request Before Read Data)：小于 4 ns
tRRD_L (Recovery Request Before Read Load)：小于 6 ns
时序电压
VDD (DRAM 电压)：1.35V-1.45V
注意：
这些时序仅作为指南，实际最佳时序可能因内存模块和主板而异。
超频内存可能会导致系统不稳定或损坏，请谨慎操作并遵循主板制造商的建议。
监控内存温度并确保在安全范围内。
在进行内存超频之前，备份您的重要数据。