3200内存时序有哪些参数可以改

内存时序参数用于定义内存模块在读取和写入数据过程中的速度和延迟。 3200 MHz 内存常见的可修改时序参数包括：
主要时序
CAS 延迟 (CL)：从发送读命令到读取数据的延迟。
行地址到列地址延迟 (tRCD)：从发送行地址到发送列地址的延迟。
列地址到列地址延迟 (tCCD)：从发送一个列地址到发送下一个列地址的延迟。
行预充电时间 (tRP)：从发出预充电命令到激活新行的延迟。
次要时序
写到预充电延迟 (tWR)：从写操作到预充电命令的延迟。
突发长度 (BL)：每次突发传输的数据量（例如，8 字节或 16 字节）。
命令速率 (CR)：内存模块接受新命令的频率。
时钟周期时间 (tCK)：一个时钟周期的持续时间，以纳秒为单位。
高级时序
设备到设备数据延迟 (tDD)：从一个内存模块读取数据并写入到另一个内存模块的延迟。
时序模式寄存器 (tMR)：控制内存模块时序行为的内部寄存器。
主动存储刷新周期 (tRC)：刷新内存单元以防止数据丢失所需的周期数。
自刷新退出时间 (tRFC)：从自刷新模式返回主动模式的延迟。
注意：
可修改的参数因内存模块和主板而异。
调整时序参数可以提高性能或稳定性，但过度调整可能会导致系统不稳定。
建议在调整时序参数之前咨询主板或内存制造商。