内存条c19和c15差距多少

该内存的最佳内存时序通常写在内存或记忆棒的外盒上。该存储器具有16-18-18-38时序，典型工作电压为1.35V。

频率较高的2666稍好一些，但不到1%。

内存模块CL19，内存操作顺序如图所示。CL值为19，单位为时钟周期2，周期数变化1，cl值为15：cl值为15发送列地址。数据开始响应内存之前的周期数为15周。

金邦一代：DDR4（最新为4代）容量：4GB（越高越好）频率：2666MHZ（越高越好）时序：C19（越低越好）以下可能是厂家产品代码，无需关注。