内存条3600频率最佳时序

对于 DDR4 内存条以 3600MHz 频率运行，最佳时序为 CL16-CL18。 这意味着：
CAS 延迟 (CL)：16 或 18 个时钟周期
TRCD (行地址至列地址延迟)：CL+2 或 CL+3
TRP (行前充电时间)：CL+8 或 CL+9
TRAS (激活到预充电时间)：CL+30 或 CL+32
CR (命令率)：1T 或 2T
其他推荐时序：
CL14-CL16：更高的频率下（例如 4000MHz）更适合
CL18-CL20：预算导向的构建或具有较弱内存控制器的主板更适合
CL19-CL21：更高的电压或松散的散热器时更适合
时序解释：
CL (CAS 延迟)：决定内存从接受命令到开始传输数据所需的时间。 较低的 CL 值表示更快的响应。
TRCD、TRP、TRAS：控制内存中不同操作之间的延迟。 较低的数值表示更短的延迟。
CR (命令率)：指定内存模块接收命令的速度。 1T 表示每时钟周期一个命令，而 2T 表示每两个时钟周期一个命令。
选择最佳时序：
选择最佳时序取决于以下因素：
主板内存控制器：不同的主板具有不同的内存兼容性和时序支持。
内存模块：某些内存模块在特定时序下运行得更好。
散热：适当的散热可以使更激进的时序成为可能。
CPU：较新的 CPU 通常具有更好的内存控制器，可以处理更严格的时序。
总体而言，对于 DDR4 3600MHz 内存，CL16-CL18 是推荐的最佳时序，提供良好的性能和稳定性平衡。 根据具体系统设置，其他时序也可能是可行的选项。