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• 一、三星ddr43200内存条时序
• 二、金士顿3200超频3600最佳时序
• 三、ddr3内存时序值多少最好

一、三星ddr43200内存条时序三星ddr43200内存条默认时序为DDR4、2133、1.2V。 DDR43200内存时序参数调整为3200(16)8Gx16，CL16-16-161.35V较好。 加载XMP可以直接将频率提升到DDR4-3200-16-16-16-362T，更高频率时电压为1.35V。 ddr4-3200内存模块不改变第一时序。 您应该调整第二次开始的时间。 增大tRFC和tREF可以实现更高的预测率：ddr4内存与ddr4和ddr42内存不同的是，首先时序对内存频率和性能有影响。 影响不大。 在ddr4tRTP的第二个时序中，tRTW和tWTR对性能影响不大，tRRD对性能影响较大。

二、金士顿3200超频3600最佳时序18-22-22-42。
金士顿3200内存超频至3600时，最佳时序设置为18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期，行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期，行预充电时间激活(tRAS)设置为42个时钟周期。 您可以在保持稳定性的同时获得更高的性能。

三、ddr3内存时序值多少最好

TRFC值属于第二个小参数，代表刷新间隔。 单位为周期，值越小越好。

DDR3内存通常值为90-120。 低于80可能会导致不稳定。 CL、tRCD、tRP、tRAS被称为第一时序，对粒子性能影响最明显、最重要。

首先，内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。

可见，计算机要有序地运行，对不同操作信号的产生时间、稳定时间、取消时间以及相互关系都有严格的要求。 对操作信号进行时序控制称为时序控制。 只有严格的时间控制才能保证各种功能部件有机的计算机系统。

扩展信息：

影响内存时序的因素：

将内存时序转换为实际延迟时，最重要的是注意设备是时钟周期。 如果不知道时钟周期的时间，就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。

例如DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。 基于这个1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。 更快的DDR3-2666（时钟1333MHz，每周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但最终得到的6.75ns绝对延迟更短。

现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。 PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），或者在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。

注意：内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率而不是延迟的限制。 通过交叉存取多个SDRAM内部存储体，可以以峰值速度连续传输。 增加带宽可能会以增加等待时间为代价。 具体来说，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常比上一代具有更长的延迟。

即使内存延迟增加，增加内存带宽也可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算系统的性能。 更高的带宽还将提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。

参考来源：百度百科-内存时序

参考来源：百度百科-时序控制