内存3400 mhz时序怎么调

什么是内存时序？
内存时序是一组数字，定义了内存芯片在读写数据时的延迟。 常见的时序参数包括：
CAS Latency (CL)
Row Address to Column Address Delay (tRCD)
Row Precharge Time (tRP)
Active to Precharge Time (tRAS)
这些延迟以时钟周期为单位表示，较小的数字表示较低的延迟。
3400MHz内存的推荐时序
大多数 3400MHz 内存套装的默认时序为 CL16-18-18-36，但它可以通过 BIOS 优化。 以下是推荐的时序：
CL： 14-16
tRCD： 14-18
tRP： 14-18
tRAS： 28-36
优化时序
1. 稳定性测试：
在更改任何时序之前，请使用内存测试工具（如 MemTest86+）完成稳定性测试，以确保当前配置的稳定性。
2. 逐个参数调整：
一次仅调整一个参数，然后运行稳定性测试以验证稳定性。 从最宽松的时序开始（例如 CL16），然后逐渐减小延迟。
3. 调整电压：
如果遇到不稳定性，可以尝试略微增加内存电压（DRAM Voltage）。 通常，将电压提高 0.05-0.1V 即可。
4. 次要时序：
在稳定了主要时序后，可以调整次要时序，如 tRFC、tRRD 和 tFAW。 这些时序可以进一步提高内存性能，但调整这些时序需要更多的经验和技巧。
5. 重新运行稳定性测试：
在每次调整时序后，都必须重新运行稳定性测试，以确保系统的稳定性。
注意事项：
调整内存时序需要耐心和细致。
并非所有内存套装都能达到更低的延迟。
过度降低延迟或增加电压会损坏内存芯片。
调整内存时序时要谨慎，尤其是如果您不熟悉 BIOS 设置。