随着 DDR4 内存普及化,用户在追求更高的系统性能时,除了频率外,也开始关注内存时序对系统的影响。
本文将探讨内存条频率 2666MHz 时,如何优化时序以获得最佳性能。
时序的概念
内存时序指的是一系列延迟,表示内存读取和写入操作的执行时间。
常见的时序包括 CL (CAS Latency)、TRCD (RAS to CAS Delay)、TRP (RAS Precharge Time) 和 TRAS (RAS Active Time)。
优化时序
对于频率为 2666MHz 的内存条,以下时序优化可以显著提高性能:
CL: 16 或 18
TRCD: 18 或 20
TRP: 18 或 20
TRAS: 36 或 38
调整时序
用户可以通过主板 BIOS 调整内存时序。
进入 BIOS 后,寻找与内存相关的选项,通常位于「高级」或「内存」选项卡中。
找到以下选项并手动输入优化后的值:
CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (TRCD)
RAS Precharge Time (TRP)
RAS Active Time (TRAS)
测试稳定性
调整时序后,务必使用内存测试软件(如 MemTest86)进行稳定性测试。
测试应运行几个小时,以确保内存能在优化后的时序下稳定运行。
结论
通过优化内存条频率 2666MHz 的时序,用户可以显著提高系统的性能。
遵循本文提供的指南,用户可以轻松调整时序,最大化内存的潜力并获得流畅高效的计算体验。
![](http://img2.baidu.com/it/u=3374774024,4077498249&fm=253.jpg)