内存条c18和c14对比

内存时序c16与c18差距仅3%，日常使用中没特别大感知，但跑分上有差距。 理论上，同频率下，c16和c18差距在1%左右。 不过amd的平台对于内存时序要求较高，所以差距可能会到3%。

c14比4000c18快很多。 不过zen3缓存过于巨， 导致对内存性能不是很敏感，内存只要不是特别烂，用起来都差不多。

时序数值越低越好，说明体质就越好，但是D5处于还在深度研究且不成熟情况下，只是比D4时序翻了一倍，但是对12代cpu较好，工作频率也更高。 内存条c14，c16，c18的意思是分别代表各自的时序。 DIE不同：C14的是BDIE，C16的是EDIE。 BDIE超频更好超。

  芯片去层（Delayer）是指通过化学蚀刻、机械研磨等处理方式，对芯片进行多层结构处理。 在芯片解密过程中，芯片去层是一项具有技术含量的工作。 交互使用各种不同处理方式(离子蚀刻 / 化学药液蚀刻 / 机械研磨)，使芯片本身多层结构((Passivation, Metal, IDL)可一层一层去除，也就是芯片去层(Delayer)。 宜特可以透过芯片研磨(Polishing)与去层(Delayer)可逐层检视是否有缺陷，并可提供后续实验，清楚解析出每一层电路布线结构。 以干、湿蚀刻及研磨(Polishing)等方法去除各Metal层做逆向分析，在以光学显微镜(50x~1500x)或电子显微镜拍摄(更大倍率)，检视是否有Metal Leakage或Burn Out、Metal Short等异常，且可利用电子显微镜做VC对照参考，判断二次电子产生的亮暗异常。