1、 18-22-22-42。 将金士顿3200的内存超频到3600时，最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟（CL）设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟（tRCD）设置为22个时钟周期，行预充电时间（tRP）设置为22个时钟周期，以及行激活到预充电时间（tRAS）设置为42个时钟周期。 可以在保持稳定性获得较高的性能。

2、 ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16，CL16-16-161.35V为好。 加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。

3、 取决于内存颗粒和主板支持的最高频率。 内存颗粒是长鑫存储的，时序为cl14，那么在不手动超频的情况下，最高频率就是3200mhz，想要达到更高的频率，例如3600mhz，需要进行一些设置和调整，而内存颗粒不是长鑫存储的，时序为cl18，那么在不手动超频的情况下，最高频率就是3600mhz。