3200 内存条合适的时序一般是多少

1、 16-18-18-38。 3200内存的工作标准电压为1.35V，正常时序为16-18-18-38。 内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数之一。

2、 18-22-22-42。 将金士顿3200的内存超频到3600时，最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟（CL）设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟（tRCD）设置为22个时钟周期，行预充电时间（tRP）设置为22个时钟周期，以及行激活到预充电时间（tRAS）设置为42个时钟周期。 可以在保持稳定性获得较高的性能。

3、 CASLatency为16最佳。 3200MHz是比较高的内存频率，在笔记本中使用时，给操作系统和应用程序带来了很好的性能提升。 而内存时序也是很重要的，影响着内存寻址的效率，而较佳的内存时序是CASLatency为16最佳。

4、 三星ddr43200内存条时序默认为DDR4，2133，1.2V。 ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16，CL16-16-161.35V为好。 加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。