威刚3200内存超频怎么调时序

本文目录一览

• ⒈3200频率内存的时序怎样选择？
• ⒉
• ⒊给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？

---

---

⒈3200频率内存的时序怎样选择？

---

3200频率内存的最佳时序通常是CL16。
关于内存同步；这是描述记忆棒性能的参数，一般保存在记忆棒的SPD中。 MemoryTiming通常用CL-tRCD-tRP-tRAS等四个数字来表示；CL（CAS延迟）是最重要的参数。 对于3200频率的内存来说，CL16是典型的最佳时机。
在实际应用中，内存时序的选择会受到多种因素的影响。 除了内存频率外，还需要考虑主板和CPU支持。 不同的主板和CPU对内存时序的支持可能不同。 因此，在选择记忆时间时，需要综合考虑合规的硬件和性能要求。
以支持3200频率内存的主板为例。 产品。 这样的配置可以保证系统的稳定性和性能。
一般来说，虽然CL16是3200频率内存的最佳时序。 具体选项需要根据硬件环境和性能要求进行调整。 如果您不确定如何设置，您可以参考主板和内存制造商提供的推荐值或咨询专业技术支持人员。

---

⒉

---

抱歉，您要查找的页面当前不可用。

---

⒊给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？

---

当频率为主要因素时，应适当调整cl值。 如果不稳定，可以增加总值（四个计时元素中的最后一个）。 设置到最大基频后，可以尝试将电压提高到更高的频率1.65V和DDR40.5V。 一般来说，频率值递增一级（每级相距约266MHz），cl值递增一级。 （同样的内存也是如此。 ）比如ddr31600mhzcl9一般超频到2133mhzcl11，当然也可以超频到1866mhzcl10。 (1600-1866-21339-10-11)如果较高，可以尝试提高电压。
当然最重要的是身体问题。 目前最好使用三星的b-die芯片内存，比如3000MHzCL14，其次是3000MHzCL16。 最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v。 当超频到2133mhz（1.5v时）时，只有cl9，非常强大。