内存条3200频率电压是多少

  确定晶振负载大小是确保电子设备稳定运行的关键步骤。 在金华市创捷电子有限公司，我们通常采用以下方法来确定晶振负载大小：首先，参考晶振厂商提供的建议负载电容数值，这通常基于晶振的型号和工作频率。 其次，若无特定建议，我们会使用公式进行计算。 对于串联谐振型晶振，负载电容的计算公式为：C_load = (CL * CI) / (CL + CI)；对于并联谐振型，则为：C_load = CL + CI。 确保在实际应用中，电容器的值选择最接近计算结果的标准值，并注意电容的额定工作电压是否满足需求。 晶振的负载电容值的大小与晶振的频率有关。 一般来说，晶振的频率越高，所需要的负载电容值就越小。 例如，对于频率为10MHz的晶振，所需要的负载电容值一般在10pF左右;而对于频率为100MHz的晶振，所需要的负载电容值一般在1pF左右。 因此，在选择晶振的负载电容值时，需要根据晶振的频率来确定。 晶振的负载电容值的大小还与晶振的型号有关。 不同型号的晶振所需要的负载电容值也不同。 因此，在选择晶振的负载电容值时，需要根据晶振的型号来确定。 常规的负载电容20pF，负载电容就是32pF比较匹配。

ddr4内存时序参数3200（16）8G×16，CL16-16-161.35V为好，默认DDR42133，1.2V，加载XMP可以直接提升频率为DDR4320016-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。

1.35V，看主板体制，好的主板3000一下1.2V都可以稳定了，不过一般来说一些中低端主板体制较差2800以及2800以上需要1.35v，否则就会内存掉电压黑屏死机。 所以3200最好1.35V电压。

16-18-18-38。 3200内存的工作标准电压为1.35V，正常时序为16-18-18-38。 内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数之一。